|
（綜合報導）大陸紫光集團繼日前宣佈砸460億美元在成都、南京各建晶圓廠，18日紫光再度與南京市就半導體產業項目簽約。加上，去年底宣佈聯合武漢新芯共組長江存儲，有意從3D NAND Flash進入記憶體產業，投資240億美元，總計3大項目投資金額高達700億美元，旺盛企圖心可見。
有資料統計顯示，大陸記憶體的消耗量佔全球總消耗量的50%以上，但是當中能由大陸國產廠商供應的存儲產品則是屈指可數，基本為美光、三星、東芝等少數幾個廠商壟斷，這個對發展自主可控的大陸資訊技術產業是一個很大的挑戰。
一期月產能達10萬片
據陸媒報導，此次紫光在南京的半導體基地投資，主要將用於生產3D NAND Flash、DRAM等記憶體晶片，土地面積約1500畝，一期將投入約100億美元，目標月產能約10萬片，但官方並未透露量產的明確時程。
紫光與成都政府去年12月13日已簽署《紫光IC國際城項目合作框架協議》，規畫於成都建廠，18日再與南京市政府簽約。
年產值上看百億美元
去年12月30日，紫光宣佈動工，興建3座全球最大3D儲存型快閃記憶體（NAND Flash）廠，地點選在武漢東湖高新區，佔地1968畝，投資金額240億美元，第一期計劃2018年建成啟用投產，2020年全部完工，月產能將達到30萬片，年產值超過100億美元。
紫光的下一步，恐怕將跨足DRAM製造，找來台灣DRAM教父高啟全擔任重要高層幹部，預料對半導體業界人才挖角態勢，會更加明顯。
|
分享至 Facebook
分享至 Twitter
分享至 Plurk
分享至 Google+
Google 書籤
QQ 書籤
張貼至 myshare
轉寄好友
分享至 Facebook
分享至 Twitter
分享至 Plurk
Google Bookmarks
收藏到 QQ 書籤
張貼至 myshare
轉寄好友
LinkedIn
Netlog
Hi5
MySpace
Google+
Weibo
中國國有芯片製造商紫光集團